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深藏不露 SIS DDR3-1066竟超至1422

中关村在线云南站 2007年09月11日 来源:中关村在线 编辑:玉簌 收藏此页

DDR3迅速就位 1066起步前途无限

  ●  老面孔新姿态 SIS内存模组

  作为老牌主板芯片组、图形芯片研发厂的SIS(矽统),在最近2年里也逐步扩广自己的产品线,并颇多斩获。SIS除了在无线模组、Xbox360等领域成功突破,还推出了自有品牌的内存模组供应OEM及零售市场,成为传统主板芯片组厂商中产品种类覆盖度最高的角色。现今跟随PC桌面平台的内存规格变迁,SIS也适时的拿出自家的DDR3内存模组,ZOL第一时间拿到这款产品,让我们一睹为快。

  关于DDR3内存的核心技术改进和优劣势分析这里不再赘述,有兴趣的读者可参看《DDR3内存的引入:频率极度拉升》。SIS这款产品是1GB*2的non-ECC unbuffered 240pin 1024MB SDRAM内存模组套装,标称运行频率1066MHz(DDR)。


深藏不露 SIS DDR3 -1066竟然是1422
SIS DDR3-1066 1GB*2 内存模组

  DDR3内存模组和DDR2内存模组都是240pin接口,PCB尺寸也完全相同,只是安装定位缺口有所区别。

  ●  以带宽弥补延迟 1066MHz起步

  Intel最新一代桌面芯片组P35 Express/X38 Express陆续问世,内存领域的变革也随之而来,DDR3迅速进入我们的视线。DDR3内存入门级产品DDR3-1066即比DDR2最高规格DDR2-800频率还高,并且理论上有后者最高频率2倍以上的上升空间,是以高频率制造带宽的设计思路。

深藏不露 SIS DDR3 -1066竟然是1422
25.6GB内存带宽的双通道DDR3-1333

  但就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样,DDR3的数据传输时序比DDR2有所提高,一定程度降低了内存频率提升带来的收益,需要靠频率的拉升来平衡,但和频率相乘之后,典型的DDR3-1066_CL6内存仍会比DDR2-800_CL5绝对延迟低,带宽和延迟的双重提速可以实现。接下来我们进入产品细节和性能测试。

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SIS DDR3-1066 1GB*2产品详解

  ●  更多产品细节

  SIS DDR3-1066 1GB *2双通道配置能够满足高端1333MHz FSB Core 2处理器超频的内存配合需要。SIS送测的这套内存模组在外形上并没有做任何修饰,是面向OEM市场的朴素风格。


深藏不露 SIS DDR3 -1066竟然是1422
SIS DDR3-1066 1GB PCB正面

  内存模组为双面配置,16片内存芯片分别贴装在PCB正反两面,PCB中央没有预留ECC型模组的最后一枚芯片焊位。

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SIS DDR3-1066 1GB PCB背面

  青绿色PCB的整体布局和DDR2型模组大致相同,不过也有DDR3产品的显著特征,正反面两一侧都纵向排布了一列贴片排阻,DDR2内存并无这样的设计。PCB整体做工优秀,用料充足,SIS传统硬件大厂的严谨风格得到了保持和延续。

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内存模组的产品标签

  产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、条码、编号等信息,但缺少标准运行延迟和工作电压信息。

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ELPIDA DDR3内存芯片

  模组配置的芯片来自于尔必达(ELPIDA),型号为J5308BASE-AC-E,从其官方网站查询可得,此芯片为DDR3-1066_6-6-6型,为DDR3-1066芯片中时序高档的产品,较低则有J5308BASE-AE-E的DDR3-1066_7-7-7型和J5308BASE-AG-E的DDR3-1066_8-8-8型。J5308BASE-AC-E内部为8banks,组织形式64M*8bit=512Mbit。

  ●  SPD信息及分析

深藏不露 SIS DDR3 -1066竟然是1422
CPU-Z读取的内存模组SPD信息

  CPU-Z 1.40显示的SIS DDR3-1066 1GB SPD信息如上图,模组容量、速度可以识别,其他部分信息未注明。内存时序表部分仅包含3套设置, 分别为DDR3-1066_6-6-6-20、DDR3-1244_7-7-7-24和DDR2-1422_8-8-8-27!除了外部标称的DDR3-1066规格外,它的SPD标称频率相当惊人,超过了普通DDR3-1333_9-9-9的水平。

  影响到内存系统性能的原因多样,在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定,内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面,其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例,类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为:

  CAS Latency,内存CAS延迟时间。
  RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。
  Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。
  Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。

  这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上,还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节,通常认为这一部分设定对内存性能影响较大,其重要性等同于CAS Latency设定。

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测试平台的硬件、软件信息

  ● 测试系统的硬件环境

  测试使用的硬件平台由Core 2 Extreme X6800 CPU、两款分别配置DDR3和DDR2内存的P35芯片组主板、Geforce 8800 GTX显卡及900W输出功率的电源供应器构成。


系 统 硬 件 环 境
中央处理器 Intel Core 2 Extreme X6800
( 双核 / 266MHz*11 / 4MB共享L2缓存 )
内存模组 APOGEE DDR2-800 1GB *2
( SPD 800_5-5-5  )
SIS DDR3-1066 1GB *2
( SPD 1066_6-6-6  )
主板 ASUS P5K3 Deluxe WiFi-AP
( P35+ICH9R / PCB版本1.01G / BIOS版本0304 )
ASUS P5K Deluxe WiFi-AP
( P35+ICH9R / PCB版本1.09G / BIOS版本0304 )
显示卡 NVIDIA Geforce 8800 GTX
( Geforce 8800 GTX / 768MB / 核心:575MHz / 内存:1800MHz  )
硬盘 Seagate Barrcuda 7200.10 ST3320620AS
( 320GB / 7200RPM / 16MB缓存 / 50GB NTFS系统分区 )
电源供应器 Topower TOP-900W
( ATX12V 2.0 / 900W )
显示器 SAMSUNG SyncMaster 305Ts
( 30英寸LCD / 2560*1600分辨率 )

  ● 测试系统的软件环境

系 统 驱 动 及 软 件 环 境
操作系统 Microsoft Windows XP Professional
( 英文版 / 版本号SP2 2002 )
主板芯片组驱动 Intel Chipset Software Installation Utility
( WHQL / 版本号8.3.0.1013  )
显卡驱动 NVIDIA Forceware for Geforce 8
( WHQL / 版本号163.11 )
声卡驱动 Analog DeviCES SoundMAX HD
( WHQL / 版本号5.10.1.4560 )
桌面环境 2560*1600_32bit@60Hz
测 试 软 件 相 关 介 绍
性 能 测 试 软 件
整机性能测试软件 PCMark 05
( Futuremark / 版本号1.20 )
子系统测试软件 Sandra 2007
( Sisoftware / 版本号2007.2.11.17 )
科学计算软件 SuperPI
( Kanada Lab / 版本号Mod1.5 XS )
文件压缩软件 WinRAR
( Alexander Roshal / 版本号3.61  )
3D游戏相关软件 Quake 4
( idSoftware / 版本号1.0.1262 / 画面特效及细节最高、使用自带DEMO1测试 )
 
系统信息获取 CPU-Z
( www.cpuid.com / 版本号1.40 )

  使用如上表列出的软件测试内存模组性能,选择的分类分别为内存带宽理论性能测试和对内存带宽表现敏感的部分应用程序,测试还包含内存模组超频,以Super PI计算32M通过为标准。

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性能测试和ZOL评测中心观点

  ● DDR2-800_5-5-5 vs DDR3-1066_6-6-6

  这里使用Core 2 Extreme X6800保持主频不变在两款主板上分别配置DDR2和DDR3内存,对其进行性能对比测试。


对比项目 DDR2-800_5-5-5 DDR2-1066_6-6-6
PCMark 05
Memory 5726 5912
Sandra 2007
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered  5492 MB/s 5712 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered  5490 MB/s 5710 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered  3671 MB/s 4255 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered 3699 MB/s 4258 MB/s
SuperPI
8M 3‘45” 3‘42“
WinRAR
average speed 1.225 MB/s 1.361 MB/s
Quake 4
1280*1024_32bit HQ 102.1 fps 109.7 fps

  成绩一目了然,DDR3-1066系统比DDR2-800系统在内存带宽测试中提升15%以上,在应用程序测试中也有约5%的性能改善。

  ● 超频测试

  笔者把内存工作电压固定在1.8V,SIS这套DDR3-1066内存模组最终可以在DDR3-1500频率下以9-9-9时序通过PI_32M测试,相对于DDR3-1066,频率提升40%。

  ● ZOL评测中心观点

  作为第一次露面的内存模组新锐,SIS DDR3-1066 1GB*2产品在测试中的表现无可挑剔,它默认频率的CL6时序设定非常不错,赋予其标称设定下很好的总体性能,足以轻松击败DDR2-800_CL5。而隐藏于模组SPD中的DDR3-1422高频设定更是能够给用户一个惊喜。我们期待更多更好的SIS内存模组问世。

  优点:标称CL6的低延迟DDR3-1066内存模组,性能优秀;
     日系原厂DRAM芯片,模组产品品质可靠,做工用料好;
     隐藏DDR3-1422速度,良好的超频能力。

  不足:价格相对DDR2而言过于昂贵

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