这款名为SN74SSTE32882的芯片基于130纳米工艺制造,采用176针BGA封装。DDR3内存芯片在未来将使用更好的工艺制造,例如美光公司已经展示了78纳米的DDR3样品。德州仪器表示,集成PLL的新方法将大大简化内存模块的电路板设计和制造,并“加速服务器和RDIMM厂商进入市场。”
英特尔Bearlake芯片组将首先支持DDR3
新技术允许DDR3的电压从DDR2的1.8v降到1.5v,使得DDR3拥有更低的耗电量。首批DDR3内存主频为800 MHz并且比同频的DDR2-800功耗更低。到2007年DDR3的频率将迅速提高到1066和1333MHz,并有望在2008或2009年达到1600MHz。
首个支持DDR3内存的平台将是英特尔的3系列芯片组,代号“Bearlake”,将于2007年第2季度发布P35和G33两款型号。高端型号X38则要到明年第三季度才能问世。另外美光公司官方表示将于明年第2季度量产DDR3内存。