已经面世的微软Windows Vista操作系统是本年度PC市场最为强劲的硬件换代推力，同时Intel将在5月发布的新一代Centrino Pro（Santa Rosa)笔记本平台，以及AMD即将面世的65nm K8移动处理器，都将会很大程度的刺激促进笔记本产品及相关配件的更新。著名内存模组厂商威刚（ADATA）率先在去年末就推出了DDR2-800规格高容量笔记本内存，未雨绸缪的促进这次行业整体硬件换代浪潮。如今，首款DDR2-800速度、1GB容量的SO-DIMM内存模组已经摆在我们面前。
● DDR2-800/1GB 速度和容量并重
应用于移动领域的SO-DIMM内存模组方面，目前主流的Intel / AMD平台仍停留在DDR2-667阶段。即将到来的Intel Santa Rosa限于移动Core 2 CPU的800MHz FSB暂继续留守DDR2-667；AMD的下半年会进入主流的65nm核心Turion系列CPU都会全面内置DDR2-800规格的内存控制器。虽然说笔记本内存的选择还是应该因具体系统而决定，但在DDR2-667和DDR2-800价格相当接近的前提下，相信更多买家也会倾向于DDR2-800产品。
ADATA DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组
这是一根non-ECC unbuffered 200pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组，标准SO-DIMM规格，可使用于主流笔记本电脑、MoDT等平台上。送测模组属威刚ADATA品牌下的Memory Expert系列，型号为M2OHY6G3I4430I1E5Z，双面贴装16枚内存芯片配置，用料足量，整体做工精湛。
DDR2-800内存能提供的带宽达6.4GB/s，理论上较DDR2-667 SO-DIMM提升达20%，在支持双通道架构的系统上，两根这种内存模组更可实现12.8GB/s的内存地宽，充分满足笔记本电脑进行高性能计算的要求。
威刚产品背面特写
之前笔者曾在文章《8GB实战Vista 三套2GB单条内存测试》验证了Windows Vista对系统内存容量的需求，2GB或更高容量双通道配置的高速内存是系统高速流畅运行、并能进行复杂应用的起步，那么使用两根威刚这款DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组就刚刚好能满足需求。
● 内存芯片细节
威刚产品信息标签贴在模组正面
产品标签上标明了模组型号、产品编号、运行速度和标准延迟信息，这个标签还起到验明正身的作用，保留好它是产品能享受质保的必要条件
hynix DDR2-800规格内存芯片
模组选用的内存芯片编号为HY5PS12821B FP-S5，512Mbit规格，64Mx8bit组织方式，整个模组的位宽是64bit。这种芯片使用60-pin FBGA封装，标称速度2.5纳秒，可以在DDR2-800@CL5上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。HY5PS12821B的最后字母B显示这是hynix第三代核心的芯片，FP-S5的S5显示芯片标称运行模式是DDR2-800@ 4-4-4。
识别hynix芯片的标称运行模式其实非常简单，只需观察最后两位字符即可，它们的含义分别如上图所示。
● SPD信息分析
CPU-Z SPD页截图
CPU-Z 1.39显示的ADATA DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分正确完整，包含了DDR2-400/533/800三组数据，各自对应的时序水平属正常等级。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
● 条件限制 进行简单测试
因为目前业内还没有支持DDR2-800速度内存的移动平台，少数能够超频支持DDR2-800 SO-DIMM模组的MoDT主板也不在国内市场行销，因此这里只能选择一款DELL Napa系统笔记本进行测试。测试选用的Inspiron 6400笔记本电脑使用Intel 945PM Express芯片组，最高支持DDR2-667的内存模组，原配置512MB容量单通道配置的DDR2-667系统内存。
测试系统的模组只能运行在DDR2-667模式下
945PM能够支持容量不对称的双通道内存配置，1GB+512MB的双通道配置运行正常，这种技术扩展了用户在扩充内存时的选择范围，升级时也不必丢弃容量较低的原配内存。
因为ADATA DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组标称的DDR2-800速度下的性能无法测试，在DDR2-667下进行测试并无意义，本文略掉了标准测试环节，仅用Windows Vista系统性能评估软件进行512MB单通道和1GB+512MB双通道的简单对比。
512MB单通道DDR2-667得分
1GB+512MB双通道DDR2-667得分
在Vista系统中，512MB单通道配置的内存已经成为整机性能的瓶颈，内存子系统得分只有2.9。1GB+512MB双通道扩展后内存子系统得分则飙升至3.9，已经能基本满足各类高负载应用。这个小测试虽然不够严谨，但相信是广大笔记本用户未来会普遍使用的内存升级模式，具有代表意义。
● ZOl评测中心观点
DDR2-800 SO-DIMM 移动平台也极速
作为技术领先的全球第二大内存模组厂商，威刚又一次在新产品推出速度上做出了表率，DDR2-800 1GB SO-DIMM是目前我们能够买到的最好的笔记本内存模组，即将打算购买使用最新平台技术笔记本和正在使用高性能笔记本的用户都应该关注它。
优点：最先上市的DDR2-800 SO-DIMM内存模组；
做工精湛，内存芯片为高品质hynix型号；
1GB单根容量正符合目标市场需求。
局限：目前还暂无支持DDR2-800的笔记本可供发挥更高性能。
