现货市场DRAM走势疲软，DXI指数由4651上涨至4652。合约市场部分，部分PC OEM厂因终端需求销售状况超出预期，将持续供货至月底，因此对于DRAM需求仍有一定支撑力道。
现货市场方面，越接近圣诞节前夕市场交易量越清淡，在买气不足下DDR与DDR2价格均呈现缓跌走势。DDR2 512Mb 667MHz价格小幅下跌至6.56美元。DDR2 eTT颗粒则下滑至5.67美元。DDR颗粒持续缓跌，DDR 512Mb已下跌至4.87美元。
至于合约市场部分，由于两家美系PC OEM大厂进行市占率争霸战，因此第四季展开大幅降价动作，期望藉由降价促销活动来取得市占率第一的地位。而消费者因笔记型计算机大幅降价，加上大部份机种硬件规格均支持Vista，使得欧美地区笔记型计算机出货率超出预期。因终端需求超乎预期，两家PC OEM厂商则乘胜追击，将持续供货至月底。然而在零组件供应上，由于DRAM厂都有延迟交货的情况，因此必须持续交货至月底，避免拖累其销售目标。
在供给吃紧情况下，DRAM厂商莫不希望以更先进的制程来增加产出，而80nm 制程的DDR2产品占DRAM产出持续增加，尤其以韩系厂商进度最为快速，集邦科技估计第四季80nm 制程占DRAM总产出达6.6%水平。此外，在DRAM规格上，DDR2 667MHz也已经成为市场主流，在每一家PC OEM厂指定要DDR2 667MHz下，预估占合约市场达65%以上比重。至于DDR2 800MHz由于厂商的产出比重仍偏低，使得价格过高，因此需要等到明年下半年才有机会成为主流。
尽管2006年第四季DRAM产能持续增加，DRAM厂商想要打入PC OEM厂商的供应炼体系至少需要2至4个月的认证时间，使得新增加的DRAM产出无法全数供货到合约市场，也造成现阶段合约市场短缺而现货市场价格疲弱的状况。因此如何增加合约市场出货比重为明年台系DRAM厂商的重要课题之一。
NAND Flash整体市场旺季将过，现货价格走势处于稳中带软的格局
在今年即将结束的这个时刻，整体NAND Flash现货市场的交易状况还维持在一定的水平。欧美今年耶诞假期所带动的NAND Flash相关商品的旺季需求效应即将过去，目前当地市场仅有一些OEM或通路商会进行零星式的补货动作。以区域性的观点来看，亚洲地区（特别是大中华市场）此时对NAND Flash颗粒的需求并未因为耶诞假期的到来而降温，在明年二月中旬的中国农历年来临之前，整个亚洲地区对NAND Flash颗粒的需求仍维持一定强度。因此，目前整个亚洲市场的NAND Flash交易状况较欧美市场热络。
整体看上周NAND Flash现货市场的价格变化，低容量1Gb和2Gb的平均价格在上周五时有往上反弹的情况出现；而4Gb以上的平均价格多半维持平稳的状态，向下修正的幅度极小。根据DRAMeXchange的观察，手机OEM厂商目前所推出的多媒体手机普遍附赠一片128或256MB的小型记忆卡，为其代工的记忆卡业者对1Gb和2Gb的NAND Flash颗粒需求相对增加且呈现较为稳定的状态。使用高容量NAND Flash颗粒的MP3厂商在月初已经以合约价拿完固定的需求，目前高容量的NAND Flash颗粒价格相对低容量的颗粒较为疲弱。
展望未来一至两周NAND Flash现货市场的交易状况，由于各厂商有年报结算的效应存在，供货商为了使库存数字降至最低，预期将会和下游的客户进行较大规模的交易，因此我们认为整体市场在年底时的交易量将会大增，至于现货市场价格的变化则有待继续的观察。
最后，DRAMeXchange将上周二和本周一的收盘价做一比较，除了1Gb规格的现货价有反弹向上外，其余规格的价钱都略有下跌，惟幅度不大。1Gb从2.48上涨至2.58美元，涨幅为4.0%；2Gb从4.12下滑至4.11美元，跌幅0.2%；4Gb从6.74下滑到6.57美元，跌幅2.5%；8Gb从10.87下跌至10.79美元，跌幅为0.7%；16Gb从21.82下跌至21.55美元，跌幅1.2%。
