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狂飚DDR2-1300 内存新超频记录诞生

中关村在线云南站 2006年12月11日 来源:中关村在线 编辑:玉簌 收藏此页

  近日笔者从知名超频论坛xtremesystems获悉:超频发烧玩家thor和loka创造了新的内存超频记录,他们将一对Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存成功超频至DDR2-1300,频率提升幅度竟达62.5%!更为难得的是,该内存在运行于DDR2-1300时还通过了SUPER PI 32M的稳定性测试。

  首先我们先来看一下本次创造佳绩的这套Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存:


狂飚DDR2-1300 内存新超频记录诞生

Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存外包装

  Gskill(芝奇)作为台湾知名高端内存制造商,与海盗船、OCZ齐名。

双通道套装
Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存采用双通道套装

特写
Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存特写

规格标签
Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存规格标签

  Gskill BHZ 1GB DDR2-800内存规格为PC2-6400(等同于DDR2-800),运行电压较高,达到了2-2.1V,默认时序为4-4-4-12。

 

[Page]

  测试平台:

测试内存:Gskill(芝奇)BHZ DDR2-800 1GB*2套装
默认参数:CL=4-4-4-12
默认电压:2-2.1V
CPU:酷睿E6700(ES版)
测试主版:ASUS P5B-D


测试系统信息

测试系统信息,内存已经达到惊人的DDR2-1344(点击看大图)

狂飚DDR2-1300 内存新超频记录诞生
顺利通过DDR2-1175(点击看大图)

通过DDR2-1200
通过DDR2-1200(点击看大图)

通过DDR2-1300
最终稳定运行于DDR2-1300(点击看大图)

  Gskill BHZ 1GB在运行于DDR2-1300时的工作电压为2.45V,FSB于内存频率的比值为1:2,设置参数为CL=5-5-5-15。

 

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