Z-RAM路线图
Z-RAM（零电容DRAM）是一种比普通D-Ram，甚至是高端CPU用来开发缓存的S-RAM还要密集许多的内存芯片。这种新内存背后的技术将使相同管芯下实现更大缓存。四核心Kentsfield（2×4MB缓存）这类CPU中使用的大容量缓存芯片占据了芯片几乎所有的空间，因此，这一创新可能将实现行业一大技术突破。
当刚推出第一代Z-RAM时，Innovative Silicon称，它的技术可以将使用SOI（硅绝缘体）技术和130nm工艺的标准S-RAMS密度提到至原先的5倍。第二代Z-RAM仍然依赖于SOI，但是厂商已经开始在90nm工艺下使用65nm和45nm生产线来生产Z-RAM。较之常规技术，当分配大容量内存空间时，第二代Z-RAM所耗电能明显低很多。
该公司同时还称，真实的Z-RAM可以“在内存位单元存储更多指令”，从而缩短CPU读写周期。据Innovative Silicon的消息，Z-RAM可以突破1GHz限制。该公司对外公布的信息显示，当使用65nm工艺时，内存每平方毫米可以存储5MB数据；当使用45nm制造工艺时，内存每平方毫米存储容量将超过10MB。如果该技术能够应用到真实CPU的晶片尺寸，它将很容易就可以把L2缓存值提升到50-100MB。
在早期的一份声明中，Innovative Silicon总裁兼首席执行官Mark-Eric Jones声称：“我们的第二代Z-RAM技术确实是一项技术突破。当前，我们还没有发现任何与之相仿的其他技术。Z-RAM已经成为世界上最密内存技术，通过Z-RAM第二代，CPU速度将提高两倍以上，内存读取功耗将降至原先的75%，而内存写入功耗将降至90%。”
