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3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生

中关村在线云南站 2006年10月30日 来源:中关村在线 编辑:玉簌 收藏此页
3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生
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  凭借着深受玩家们好评的华硕玩家国度系列之M2-CORSSHAIR(准星)主板与GEIL-DDR2 800 Plus(镁光D9GCT颗粒)2GB套装内存,本站在今天打破了由新加坡玩家Shamino之前所保持的低延迟DDR2内存超频记录(点击查看),并且是在1T Command Rate、2GB总容量及双通道的严苛状态下完成的,关键是还通过了Super PI的稳定性测试。

3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生



3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生


此次打破前世界记录的Geil DDR2-800+内存

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超频中功不可没的ASUS CORSSHAIR主板

  由于本站编辑-萌萌 当时正利用此测试平台连夜赶稿子,因而并没有屏蔽诸如声卡、网卡、IEEE1394、eSATA等附加设备。就像大家平时使用一样,连着网、挂着QQ、裁着PhotoShop中的图且未禁用杀毒软件及防火墙等。一切看似都是那么的平凡!

3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生

  但该编辑有个习惯(也可以算是毛病):用哪个平台就将哪个平台的潜力进行最大化的挖掘(号称是为了提高工作效率)。以至于在CORSSHAIR下将内存的所有参数收紧到最小化,但是忘了将外频降回到200MHz了。直接重起……手刚放到Reset微动开关上想为刚才的举动挽回时发现系统竟然点亮了。凭借直觉进入BIOS将各路电压提升至CPU:1.75V、内存:2.975V、南北桥及总线电压均+0.2V后想碰碰运气,结果就是大家上面看到的成绩了。怪不得得知此事后其他编辑不断感叹道:硬件很争气,人品很重要!

3-3-3-1T 内存新低延迟世界纪录诞生


夜幕中的CORSSHAIR格外抢眼

  由于本次超频仅打破了AMD平台下最低延迟的极限频率,因此我们这区区1GHz多一点的成绩并不能和那些利用Bug挤进CPU-Z名人堂的达人们相比。但至少在短时间内,这1000多MHz的频率、2GB的总容量加上1T时序下3-3-3-5的最小化参数和Super PI的稳定性测试通过是不容易被赶超的。不过我们超频网也会继续努力,争取取得更好的成绩,当然也欢迎大家都来挑战此记录。

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  这次挑战DDR2内存在AMD平台最优化参数下的极限频率时,内存的颗粒起主导作用,颗粒体制基本决定了超频的极限成绩。当然了,想要让内存发挥出极限频率下的优势,还需要很多客观因素的配合。如:主板关于内存参数选项的开放程度及调校范围、操作者个人的造诣和运气等。

  那么首先就让我们来分析一下此次内存超频方面的成功因素之一:MT D9GCT颗粒的选用。



最早的D9系列颗粒出现在镁光原厂Crucial BallistiX系列内存上

  镁光的内存颗粒是目前全球各大晶元厂中最能超的。早在2004年,其用在DDR2-400、DDR2-533上的大D9颗粒现在还被骨灰级玩家视为极品珍藏。

  由于镁光的产品种类繁多,而玩家们关注度最高的D9系列颗粒也是名称杂乱,因此我们特意将镁光颗粒的辨识方法总结给大家:

  1、根据体积辨别。


小D9与大D9内存颗粒的对比图

  镁光D9系列颗粒由于分为两种制程,因此颗粒体积明显不同。早期的那种多被形象的称为大D9(FAT BODY)。而随着生产工艺的提升,镁光将IC全面转向90nm工艺制程,颗粒的体积也就明显缩小。但大D9的肥胖体积所带来的好处就是对电压极其敏感,很多大D9颗粒都可以工作在DDR2-800 3-3-2-1或DDR2-1000 4-3-2-1下。当然,电压也是很恐怖的2.5V以上,已经达到甚至超过DDR内存的默认电压了。

  说到这里,可能很多朋友都会想起DDR时代的华邦Winbond BH-5,BH-5是默认DDR400的5ns颗粒,但当电压提升到3.2V以上时,很多都可以稳定DDR500 2-2-2-1T,部分极品可以在3.6V电压下稳DDR580 2-2-2-1T。镁光的大D9就是这样的特性,高激发电压可以促使它工作在高频下且获得非常优秀的参数。但这个臭毛病并不是所有主板都可以满足的,目前决大多数主板都只能提供不到2.5V的DDR2内存工作电压。小D9的出现使这个问题得到了缓解,IC芯片的体积明显缩小、发热量及功耗明显降低的同时也牺牲了一些参数。如对内存性能影响较大的Trp就要比大D9差,大D9的Trp可以轻松工作在2Timing,而小D9则要高至3Timing,其它参数则基本一致。

  2、根据标识辨别。

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停产已久的大D9颗粒层另无数玩家疯狂


  镁光的内存颗粒提供了一个5位的标识码,大家可以根据该标识码来查询内存颗粒的具体规格。

  镁光的官方网站Micron.com提供了一个专门用来查询MT系列颗粒型号的页面。

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在FBGA Code后面输入5位标识码即可查询

  如输入本次超频中所采用的D9GCT后便可得知该IC为默认3.7ns的DDR2-533颗粒,而其它主流型号还有默认DDR2-667的D9GMH和默认DDR2-800的D9GKX等。

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可查询相应内存颗粒的详细规格及下载PDF文档参阅

  本次超频网破记录的内存是镁光小D9颗粒中规格最低最“垃圾”的D9GCT,默认频率仅为DDR2-533 4-4-4。但由于Geil将这些IC严格筛选后封装到了自家的DDR2-800+(3-3-3-8)内存模组上,因此可以确定,这组2GB的D9GCT足以挑战其它任何规格的镁光颗粒内存模组。

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BainPower 6层PCB搭配MT D9GCT颗粒的Geil DDR2-800+内存裸照

  内存颗粒的主观因素外,我们超频成绩的取得也与ASUS的主板分不开。ASUS推出的玩家国度中第一款主板名为CORSSHAIR(准星)。正如其名,我们这次的成绩一半功劳要归功于它。

  CORSSHAIR作为专供超频及游戏玩家的顶级主板,选配奢华的用料通过精湛的做工及创新的设计。将它打造成定位精准的旗舰级产品。正如玩家们所评价的那样,这块板子就是不用MOD都可以冲击极限。因为它的频率及电压调节范围相当宽泛,而且已将所有隐藏选项公开供玩家调校。

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ASUS CORSSHAIR CPU供电单元

  ASUS将传统的8相PWM供电改造为8相EL Cap-less调节模块,并将主板上所有电容都升级为日系固体电容。使得CORSSHAIR超频性能大增。论坛里有句话形容该主板:一点就亮,一超就上。这充分证明了CORSSHAIR拥有无比的稳定性和强大的超频性。

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ASUS CORSSHAIR 内存供电单元

  通过上图我们可以看出,虽然DDR2内存内置了终结电阻,但为了防止高频下的信号回荡与不等距传输波长。CORSSHAIR的内存插槽附近依然密布着8Pin排阻、固态铝壳电容、回路去耦电容和奇耦校验电容等滤波元件。这都是内存能在高压高频高参下稳定工作的基础。

  板卡界老大哥华硕搭配内存老字号金邦组成了我们今天所创下的辉煌成绩,让我们铭记这一刻。超频网会继续努力,为国人争光,以此答谢多年来支持OCER.net的朋友们。

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