奇梦达于上周正式对外宣布将暂时停止继续投入资源，用于市场接受度不高、竞争力不足、采NROM技术所生产的NAND型Flash产品，主因在于此一产品市场竞争力较不足，因而选择退出，而这也是继先前英飞凌退出NOR型Flash市场后，奇梦达宣布暂时停止技术投入资源用于NORM技术生产NAND型 Flash，且将会逐步降低此产品的生产比重。
不过，即便如此，奇梦达强调不会退出Flash市场，未来将会重返此市场，原因在于奇梦达仍看好Flash市场成长潜力大，但强调是要回到高毛利率的Flash产品，奇梦达则未表明何时会采用何种技术重返Flash市场。而分析师对于奇梦达选择这时候暂时退出NAND型Flash市场，则一点也不感意外，因为对于目前在NAND型Flash市场中，占有率还是无法突破5％的制造商来说，未来难以在价格竞争激烈的市场中与其余竞争对手一较高低。
NAND型Flash市场事实上与标准型DRAM的产业特性雷同，要拼的就是制造成本、市占率、产能，而检视目前奇梦达在此市场中，无论是制造成本或数量，几乎可认定其在NAND型Flash市场中，将无法与三星电子、东芝、海力士等大厂相抗衡。
因此与其继续投入大量资源用于竞争力相对较弱的NAND型Flash，倒不如将多数资源集中，用于全力进攻较有影响力的DRAM市场要来得实际。奇梦达进一步表示，目前采用以NROM技术生产NAND型Flash，市场接受度并不高，也影响奇梦达毛利率，但由于奇梦达仍相当看好非挥发性内存市场的成长，未来将继续投入由母公司英飞凌等开发MRAM技术，包含了PCRAM及CBRAM等产品，不过，奇梦达也表示，这些商品均还没进入成熟阶段。
