内存一周谈：下跌成趋势 操作难度大

• 淡季现货市场需求较弱，贸易活动进展缓慢，业者普遍保持为观望状态。同时，NAND型Flash报价自2006年11月中旬开始逐步下滑，由于整体市场买气不如预期，FLASH厂家把部分产能又转向了DRAM，导致DRAM产能增加。由于DRAM现货市场需求持续低迷，供应商迫于库存压力，通过降价来刺激需求，导致上周DRAM价格迅速下挫，尤其DDR2 512MB有效测试颗粒 (eTT)现货价，可谓是呈现崩跌走势，周二暴跌7.09%，均价跌破5美元后，价格连日重挫，毫无止跌迹象，临近周末跌破4美元关卡，价格下滑至3.9美元附近。价格受重挫之后，现货市场虽有一些需求出现，但采购商开出目标价格相对偏低，成交量呈现萎缩状态。
• 受外围颗粒价格大幅下跌的影响，国内现货市场DRAM模组价同步走低，市场各品牌模组也随之调降。与以往不同，此次让业者惊讶的是，在现货市场品牌中首次大幅调降为龙头品牌金士顿。以往金士顿是市场调价最慢产品，目前来看，金士顿大幅调降DDRII产品后，导致国内现货市场中跌价不断，报价较为混乱。商家失去操作信心，普遍呈现观望状态，贸易活动比较淡静。
• SDRAM方面，与DRAM相比，SDRAM价格相对变化不大，市场也较为稳定。

市场预测：DRAM下跌已成趋势 短线操作难度加大

• 结合上周行情走势来看，短期内DRAM价格下跌已成趋势。由于力晶不断扩大产能规模，加上制程技术已全数进入90奈米制程，力晶今年持续增加产能开出，加上成本持续下降。而市场需求一直没有得到很好的改善，农历年将至，业者认为之前DRAM价格偏高，价格向下调节后，可望刺激市场买气。因而对于目前现货价持续走跌，力晶方面亦表示，DRAM现货价下跌为产业正常现象。
• 若以目前价格来看，DRAM制造厂仍处获利状态。本周DRAM价格有望进一步下跌。品牌模组方面，由于Kingston大幅调降DDRII产品价格，势必会引发其他品牌的竞相下调，现货市场报价短期内将相对紊乱。对于Kingston此次调价，也有业者表示，品牌模组龙头Kingston通过调价，来压缩假冒产品的生存空间，借机打压其市场份额。
  
• 国内现货市场，由于价格下跌较深，商家往往会感到希望渺茫，但也不排除会有小部分商家逢低吸纳，如果市场出现跌深反弹一点也属正常。但若没有很好的交易量来支撑，价格将很难有大的反弹。

价格预测：

市场操作：

　　Chinadram根据各方面数据及信息分析，本周DRAM市场综合评级为“偏负”。

　　本周操作：鉴于以上分析，DDRII短线不易盲目近场操作，建议观望为主，若价格继续大幅下跌，反而有望出现操作空间，建议密切关注。DDRI暂时看不到止跌迹象，不易操作。SDRAM方面，供需相对平衡，正常操作即可。